美国俄亥俄州立大学(OSU)就利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)提高氧化镓(β-Ga2O3)外延的生长速度进行了报告 [Dong Su Yu et al, Appl. Phys. Lett., v125, p242106 2024]。研究团队特别研究了改变氧前驱体和使用偏轴衬底的效果。