据日经BP社报道，恩智浦-台积电研究中心（NXP-TSMC Research Center）近日开发出了把尖端CMOS LSI的布线中使用的材料用于MEMS元件封装的方法。该方法在把可动部的某个MEMS元件封入空穴的封装工艺中，使用了尖端LSI布线层中使用的low-k材料，从而把MEMS元件固有封装工艺向现有CMOS制造工艺靠近的技术。　　...

IT之家1 月 22 日消息，佳能今日宣布开发出具有 4.1 亿像素（24592 x 16704）的全画幅背照堆叠式 CMOS 传感器，这也是 35mm 全画幅相机中最高纪录。 大家这里只看数字的话对于 4.1 亿像素可能没什么概念，不过我们可以把它当作 24K 分辨率来理解，其像素数约为 FHD 的 ...

Canon has announced a 35mm full-frame CMOS sensor with a mindboggling 410 million pixels, the world's highest pixel count. The newly developed 410-megapixel CMOS sensor has a 24,592 x 16,704-pixel ...

在对射频微波功率放大器芯片的概念、类型与实现工艺进行全面综述与分类的基础上，聚焦其高频化、线性度改善、能量转换效率提升、带宽扩展以及高集成度封装等关键技术的研究现状与亟待解决的技术问题，深入分析并讨论了各项关键技术的主流实现方式 ...

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